Ti:Saphir Laser Kristalle

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Die Ti:Saphir Laser Kristalle von GT Crystal Systems werden nach der Heat Exchanger Methode (HEM) gezogen. Diese einzigartige Methode erlaubt die Produktion der größten verfügbaren Kristalle weltweit. Diese Kristalle verfügen über hervorragende  optische und thermische Eigenschaften. Das Wachstum der Kristalle findet in einer reduzierenden Atmosphäre statt um die Dotierung mit Ti3+Ionen zu maximieren. Wobei durch diese Technik auch Fremdeinlagerungen minimiert und die FOM Werte (Figures of Merit) maximiert werden.

Die ausgezeichnete Homogenität und niedrige Wave front Distortion unserer Laserstäbe erlauben Lasersysteme mit hohen Energielevels ohne Verschlechterung der Qualität des Strahlprofils.

Eigenschaften

  • Erstklassige Homogenität
  • Hervorragende thermische Eigenschaften
  • Hohe Festigkeit
  • Chemische Beständigkeit in säurehaltigen Umgebungen
  • Hohe dielektrische Konstante 9,39 von 1 MHz bis 8,5 GHz
  • Reinheit des Materials 99,996 % oder besser
  • Verschiedene Polierverfahren verfügbar
  • Geringe Fertigungstoleranzen möglich

 

Weitere Merkmale sind:

  • kein Bulk Scatter
  • hohe Zerstörschwelle
  • hohe Dotierung
  • hohe FOM (Absorption @ 514nm ) / (Absorption @ 800nm)
  • große Kristalle
  • Brewster Cut möglich
  • hoch entwickelte Politur und Beschichtung

 

Technische Details

Durchmesser: bis 200mm

Wellenlänge: 650 - 1200nm

Optische Länge: von 1 bis 75mm

Design: rechteckig, quadratisch und andere kundenspezifisch Designs

Alpha @514nm: von 0,5 bis 10/cm, auf Anfrage bis zu 15/cm

 

 

Eine Neuaufarbeitung (Politur und Beschichtung) von Kristallen können wir auch anbieten.